Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD)

  • TEOS-Ofen LPCVD
    • H2-freie SiO2-Schichten aus Tetraethoxysilan (TEOS)
    • mit Substrattemperatur < 750°C
  • Poly-Si-LPCVD
    • Poly-Silizium aus Silan bis 15 µm
    • auf Silizium und Pyrex
  • Si3N4/SiON/SiO2-LPCVD
    • Siliziumnitrid-, Siliziumoxinitrid- und Siliziumoxid-Schichten
    • Abscheidung aus Gasen
    • 3-Zonen-Ofen