Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD)
- Oxford Plasma Pro 100 PECVD
- Aus Forlab Mitteln finanziert
- Anlage zur Abscheidung hochreiner photonischer Funktionsmaterialien
- Parallelplatten-Reaktor, Anregung von 13,56MHz und kHz Bereich (ca. 360kHz – 450kHz) zum Frequenzmischen
- 100 mm bis 200 mm Wafer
- Abscheiden von Amorphem Silizium (a-Si), Siliziumdioxid (SiO2), Siliziumnitrid (Si3N4), Silizium-Oxinitrid (SiON), in Schichten von 10nm bis einige µm Dicke
- TEOS - SiO2 mit konformer und void-freier Stufen- /Kantenabdeckung
- Wafer-Schleuse für Transfer
- PECVD/RIE-Cluster (STS)
- 6-Zoll-Substrate und kleiner
- PECVD und Reaktives Ionenätzen
- Siehe auch Plasmaätzen / Trockenätzen
- C-PECVD
- Kohlenstoffabscheidung aus Acetylen
- Substratheizung
